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The emitter terminal is connected to the negative of the battery and the gate terminal is connected to the positive. The voltage drop across the emitter and gate terminal is known as V V GE . Voltage V GE is the controlling entity input voltage of the IGBT that controls the output collector current I C . Case 1: V GE = 0. A very little current (almost negligible) flows from collector to emitter. The small current increases very slowly as the input voltage V GE reaches near the threshold voltage V GET . The silicon dioxide layer behaves like a dielectric medium to generate a potential difference at V GE greater than the threshold voltage V GET . When we connect a voltage between the collector and the emitter V CE , the junction J 1 , and J 3 becomes forward-biased and J 2 reverse-biased. It is said to occasionally o melhor jogo de cassino pc consume human flesh, unlike their close cousins, the Almastis . The channel near the N + emitter region injects electrons into the N - drift region. The P + injection layer injects high-density minority charge carrier holes into the N - drift region. Such a high-density concentration of holes inside the N - drift region attracts some of the electrons to recombine and maintain charge neutrality. The remaining holes are collected at the emitter terminal. The conventional current flows from P to N or collector to emitter.
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