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Sua finalidade é limitar a velocidade de subida da tensão anódica quando uma carga indutiva é desligada. Na figura 8 detalhamos as formas de onda que aparecem num circuito com GTO quando ele e disparado. Observe o efeito da ressonância do circuito no desligamento. Nesse dispositivo, toda a corrente de catodo é transferida para a comporta rapidamente de modo que a junção catódica fica quase que instantaneamente polarizada no sentido inverso e o desligamento do componente fica reduzido ao corte do transistor npn. As vantagens e desvantagens desses componentes são: Desvantagens: Maior área de silício por kVA Pode operar com tensões e correntes muito altas. Vantagens: MOSFET de Potência. Alto custo por kVA para tensões acima de 300 V. Desvantagens: Um deles é o MCT (Tiristor controlado por porta MOS) cuja estrutura e símbolos são mostrados na figura 13. Um segundo dispositivo que merece destaque e que se inclui nesta família é o IEGT ou Injection Enhanced Gate Thyristor ou Tiristor de Comporta Enriquecida por Injeção. Na figura 14 temos a estrutura deste dispositivo. AGT. Bet nacional apk.Talvez uma das maneiras mais simples de encontrar cassinos que aceitam Nubank e depositar fundos é fazê-lo a partir de um PIX .
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