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Voltage and power handling capacity IGBT has ability to handle very high voltage and high power. MOSFET is capable of handling only low to medium voltage and power. Operating frequency IGBT can only be used for relatively low frequencies, up to a few kHz. MOSFET can be used for very high frequency (of the order of MHz) applications. Forward voltage drop When IGBT is conducting current, it produces comparatively low forward voltage drop. Ggbet indonesia.7.
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It can be seen from Figure 8a that as the heat source of the IGBT heat dissipation module, the chips have the highest temperature. The heat emitted by the chip diffuses downward from the bottom of the chip, and the heat dissipation and diffusion area after each layer increase continuously. In addition, the size of SBD chips is smaller than that of IGBT chips, so SBD chips withstand more heat flux than IGBT chips, resulting in them having a higher temperature than IGBT chips; the highest temperature reached 85.275 °C. Figure 8b shows the temperature distribution of the heatsink. It can be seen from the figure that the high temperature of the heatsink is concentrated in the central area of the upper surface, and the maximum temperature is 63.675 °C. The temperature spreads rapidly around, and the temperature difference is obvious. Figure 8c shows the temperature distribution of the water-cooled channel. It can be seen from the figure that the flow temperature increases gradually with the flow and the temperature at the outlet decreases gradually. The flow temperature below the heat source reaches the highest level of 57.203 °C, and the temperature at the outlet is 35.584 °C.
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