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Enquanto que as tensões sobem quase que linearmente com o aumento da corrente num MOSFET de potência comum, no IGBT a tensão sobe de maneira muito menos acentuada com o aumento da corrente. O que acontece é que a resistência Rdson (resistência entre dreno e fonte em condução) é influenciada principalmente por uma região central pouco dopada, o que é essencial para se obter uma capacidade de bloqueio da tensão. Circuito Equivalente e Estruturas. Figura 4 – Circuito equivalente a um IGBT. Outra forma de representar o circuito equivalente de um IGBT é exemplificada na figura 5. Nesta representação temos um transistor PNP excitado por MOSFET de canal N numa configuração pseudo-Darlington. O transistor JFET foi incluído no circuito equivalente para representar a contração no fluxo de corrente entre os poços p. Figura 6 – Estruturas do IGBT. Cassinos e clubes de poker geram empregos e contribuem para a denise coates fortuna economia local. O material de base da estrutura NPT (Non Punch Through) é um wafer homogêneo dopado com impurezas N-. Do lado de trás, uma camada p especialmente formada é criada durante o processamento do wafer. Dados Técnicos: 45 denise coates fortuna projetos espetaculares de lindas casas de madeira. Características de Comutação.
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