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Also, the lowest attainable on-state voltage or conduction loss is governed by the collector-emitter saturation voltage (V CE (SAT) ). Then in the 1980s, the insulated-gate bipolar transistor (IGBT) came along. This device is a cross between the bipolar and MOSFET transistors. It has the output switching and conduction characteristics of a bipolar transistor, but it's voltage-controlled like a MOSFET. Generally, this means it combines the high-current-handling capability of a bipolar part with the ease of control of a MOSFET. âMOSFET and IGBT structures look very similar, but there is one basic difference—the addition of a p-substrate beneath the n-substrate in the IGBT (Fig. 1) . Device selection isn't so clear, though, when the breakdown voltage is between 250 and 1000 V. In this range, some components vendors advocate the use of MOSFETs. Others make a case for IGBTs. Choosing between them is a very application-specific task in which cost, size, speed, and thermal requirements should all be considered. âMOSFETs are preferred in those applications with high-frequency operation (> 200 kHz), wide line or load variations, long duty cycles, low-voltage applications ( (Fig. 2) . Of course, nothing is as easy as it seems.
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