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Figura 1 – Símbolo do IGBT. Estes tipos são equivalentes aos NPN e PNP dos transistores bipolares, sendo denominados de “canal n” ou de “canal p”. A estrutura do IGBT. Figura 2 – A estrutura do MOSFET e do IGBT. Pela presença desta camada, lacunas são injetadas na camada n altamente resistiva de modo que um excesso de portadores é criado. O resultado disso é que obtemos para o IGBT uma redução considerável na tensão no estado de máxima condução, conforme indicam as curvas da figura 3. Enquanto que as tensões sobem quase que linearmente com o aumento da corrente num MOSFET de potência comum, no IGBT a tensão sobe de maneira muito menos acentuada com o aumento da corrente. O que acontece é que a resistência Rdson (resistência entre dreno e fonte em condução) é influenciada principalmente por uma região central pouco dopada, o que é essencial para se obter uma capacidade de bloqueio da tensão. Circuito Equivalente e Estruturas. Online wagering.Famosa em aplicativos, ela vem desenvolvendo solucoes em varias areas da tecnologia, desde infraestrutura, apps em nuvem, database e rede, marketing e vendas. A sua solucao de plataforma de e-commerce B2B (e B2C integrados), se destaca pela agilidade e economia de custos e controle.
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